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IGBT

多宝体育网站的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构,以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品,涵盖600V~1350V电压,适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列(E系列)TGBT,工作频率达到60-100KHz,可以在满足电源系统进一步高频化的同时,实现更高的效率。

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Package   P/N   VGE (V) BV (V) IC (A) Vth_typ(V) Von(V)
Tc=25℃ Vcesat Vf

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